A Intel oferece suporte a memórias DDR em seus chipsets desde o i915P, lançado em 2004. Inicialmente, os chipsets ofereciam tanto suporte a memórias DDR quanto DDR2, de forma que ficava a cargo do fabricante escolher qual padrão utilizar. Existem inclusive placas híbridas, que suportam ambos os padrões, como a ECS 915P-A, que possuem dois slots de cada tipo, permitindo que você escolha qual padrão utilizar. A partir de um certo ponto, entretanto, as memórias DDR2 caíram de preço e quase todas as placas soquete 775 passaram a vir com suporte exclusivo a memórias DDR2.
ECS 915P-A, com suporte a módulos DDR e DDR2
Para a AMD, a mudança foi mais tortuosa, já que o Athlon e derivados utilizam um controlador de memória embutido diretamente no processador, desenvolvido de forma a minimizar os tempos de acesso.
Por uma lado isto é bom, pois oferece um ganho real de desempenho mas por outro é ruim, pois qualquer mudança no tipo de memória usado demanda mudanças no processador e no soquete usado. Foi justamente isso que aconteceu quando a AMD decidiu fazer a migração das memórias DDR para as DDR2. Além das mudanças internas no processador e controlador de memória, o soquete 754 foi substituído pelo soquete 939 (AMD2), quebrando a compatibilidade com as placas antigas.
Com a adoção por parte da AMD, a procura (e consequentemente a produção) das memórias DDR2 aumentou bastante, fazendo com que os preços passassem a cair rapidamente.
A partir do final de 2006, os preços dos módulos de memória DDR2 (nos EUA) caíram a ponto de passarem a ser mais baratos que os módulos DDR regulares. Como sempre, as mudanças chegam ao Brasil com alguns meses de atraso, mas a partir do início de 2007 as memórias DDR2 passaram a ser encontradas pro preços inferiores às DDR por aqui também. Como sempre, módulos de alto desempenho (como os Corsair Dominator) chegam a custar até duas vezes mais caro, mas em se tratando de memórias genéricas, os preços caíram muito.
Outra questão importante é a popularização de módulos DDR2-1066 e também de módulos de baixa latência, com temporização de 4-4-3-11, ou mesmo 3-3-3-9. Ao contrário da geração inicial de módulos DDR2, que ofereciam mais banda, mas em compensação trabalhavam com tempos de acesso muito mais altos, esta segunda geração de módulos DDR2 é indiscutivelmente mais rápida. O ganho prático em utilizar memórias DDR2 não é muito grande, pois o barramento com a memória é apenas um dos fatores que determina o desempenho do PC. Mas, a partir do momento em que os módulos DDR2 passam a ser mais baratos, qualquer ganho, por menor que seja, é muito bem-vindo.
Enquanto ainda estávamos nos acostumando com as memórias DDR2, a Intel apertou o passo e incluiu o suporte ao padrão seguinte no P35.
Como sugere a lógica, as memórias DDR3 realizam 8 acessos por ciclo, contra os 4 acessos por ciclo das memórias DDR2. Assim como na tecnologia anterior, os acessos são realizados a endereços subjacentes, de forma que não existe necessidade de aumentar a frequência "real" das células de memória.
Inicialmente, os módulos DDR3 foram lançados em versão DDR3-1066 (133 MHz x 8) e DDR3-1333 (166 MHz x 8). Eles serão seguidos pelo padrão DDR3-1600 (200 MHz x 8). Os três padrões são também chamados de (respectivamente) PC3-8500, PC3-10667 e PC3-12800, neste caso dando ênfase à taxa de transferência teórica.
Apesar do aumento no número de transferências por ciclo, os buffers de dados continuam trabalhando a apenas o dobro da frequência das células de memória. Ou seja, a frequência interna (das células de memória) de um módulo DDR3-1600 é de 200 MHz e a frequência externa (dos buffers de dados) é de 400 MHz. As células de memória realizam 8 transferências por ciclo de clock (ao invés de 4, como nas DDR2) e os buffers de dados (que operam ao dobro da frequência) realizam 4 transferências por ciclo de clock, ao invés de apenas duas, como nos módulos DDR2.
Com isso, chegamos à frequência de 1600 MHz divulgada, que, como pode ver, é obtida através do aumento do número de transferências realizadas por ciclo e não através do aumento do clock "real" das células de memória, ou dos buffers de dados. Se as mudanças parassem por aí, os módulos DDR3 não ofereceriam ganhos muito grandes na prática, pois o tempo de latência inicial continuaria sendo o mesmo que nos módulos DDR2 (já que não houve mudança na frequência das células de memória). Se um módulo DDR3 operasse com tempos de acesso 10-10-10-30, os ganhos seriam pequenos em relação a um DDR2 5-5-5-15, já que só haveria ganho nos acessos subsequentes.
Para evitar isso, os módulos DDR3 incluem um sistema integrado de calibragem do sinal, que melhora de forma considerável a estabilidade dos sinais, possibilitando o uso de tempos de latência mais baixos, sem que a estabilidade seja comprometida.
Os módulos DDR3 utilizam também 8 bancos ao invés de 4, o que ajuda a reduzir o tempo de latência em módulos de grande capacidade. Elas também trouxeram uma nova redução na tensão usada, que caiu para apenas 1.5V, ao invés dos 1.8V usados pelas memórias DDR2. A redução na tensão faz com que o consumo elétrico dos módulos caia proporcionalmente, o que torna os módulos mais atrativos para os fabricantes de notebooks.
Somadas todas estas melhorias, os tempos de acesso "reais" dos módulos foram sensivelmente reduzidos. Ao invés de trabalharem com tempos de acesso 10-10-10-30, a geração inicial de módulos DDR3 é capaz de trabalhar com temporização 9-9-9-24, ou mesmo 7-7-7-15.